Specificazione | 99,999% |
Ossigenu + Argon | ≤ 1 ppm |
Nitrogenu | ≤ 4 ppm |
umidità (H2O) | ≤ 3 ppm |
HF | ≤ 0,1 ppm |
CO | ≤ 0,1 ppm |
CO2 | ≤ 1 ppm |
SF6 | ≤ 1 ppm |
Halocarbynes | ≤ 1 ppm |
Total impurità | ≤ 10 ppm |
U tetrafluorur di carbone hè un idrocarburu alogenatu cù a formula chimica CF4. Pò esse cunsideratu cum'è un idrocarburu alogenatu, metanu alogenatu, perfluorocarbonu, o cum'è compostu inorganicu. U tetrafluoridu di carbone hè un gasu incolore è inodore, insolubile in acqua, solubile in benzene è cloroformu. Stabile à a temperatura è a pressione normale, evite l'ossidanti forti, materiali inflammabili o combustibili. Gas Non-combustible, a prissioni internu di u cuntinuu cresce quandu espunutu à u calore altu, è ci hè un periculu di cracking è splusioni. Hè chimicamente stabile è micca inflamabile. Solu l'ammonia-sodiu liquidu reattivu di metalli pò travaglià à a temperatura di l'ambienti. U tetrafluorur di carbone hè un gasu chì provoca l'effettu di serra. Hè assai stabile, pò stà in l'atmosfera per un bellu pezzu, è hè un gasu di serra assai putente. U tetrafluoride di carbone hè adupratu in u prucessu di incisione di plasma di vari circuiti integrati. Hè ancu usatu cum'è gasu laser, è hè utilizzatu in refrigerants à bassa temperatura, solventi, lubrificanti, materiali insulating, è coolants per detectors infrared. Hè u gas di incisione di plasma più utilizatu in l'industria di a microelettronica. Hè una mistura di gas tetrafluoromethane high-purity è tetrafluoromethane gas high-purity è ossigenu high-purity. Pò esse largamente utilizatu in silicone, diossidu di siliciu, nitruru di siliciu è vetru fosfosilicate. L'incisione di materiali di film sottili cum'è tungstenu è tungstenu hè ancu largamente utilizata in a pulizia di a superficia di i dispositi elettronici, a produzzione di cellule solari, a tecnulugia laser, a refrigerazione à bassa temperatura, l'ispezione di perdite è u detergente in a produzzione di circuiti stampati. Adupratu cum'è un refrigerante à bassa temperatura è a tecnulugia di incisione secca di plasma per i circuiti integrati. Precauzioni per u almacenamentu: Conservate in un magazzinu di gasu frescu, ventilatu, micca combustibile. Mantene luntanu da u focu è e fonti di calore. A temperatura di almacenamiento ùn deve esse più di 30 ° C. Si deve esse guardatu separatamente da i combustibili è oxidanti facilmente (combustibili), è evite u almacenamentu mistu. L'area di almacenamento deve esse furnita cù equipaggiu di trattamentu d'emergenza per fughe.
① Refrigerante:
Tetrafluoromethane hè qualchì volta utilizatu com'è un refrigerante à bassa temperatura.
② Incisione:
Hè utilizatu in a microfabricazione di l'elettronica solu o in cumbinazione cù l'ossigenu cum'è un plasma di plasma per u siliciu, u diossidu di siliciu è u nitruru di siliciu.
Pruduttu | Tetrafluorure di carboneCF4 | ||
Dimensione di u pacchettu | Cilindru da 40 litri | Cilindru da 50 litri | |
Riempimentu Pesu Nettu / Cyl | 30 kg | 38 kg | |
QTY Caricatu in un containeru di 20' | 250 Cyl | 250 Cyl | |
Pesu Totale Net | 7,5 tunnellate | 9,5 tunnellate | |
Cilindru Tare Weight | 50 kg | 55 kg | |
Valve | CGA 580 |
①Alta purezza, l'ultime facilità;
②Fabbricante di certificatu ISO;
③ Consegna veloce;
④Sistema di analisi in linea per u cuntrollu di qualità in ogni passu;
⑤ Esigenza elevata è prucessu meticuloso per a manipulazione di u cilindru prima di riempimentu;