L'hexafluorur di sulfuru hè un gasu cù proprietà insulanti eccellenti è hè spessu usatu in l'extinzione di l'arcu d'alta tensione è i transformatori, linee di trasmissione d'alta tensione, trasformatori, etc. Tuttavia, in più di sti funzioni, l'hexafluorur di sulfuru pò ancu esse usatu cum'è un incisione elettronicu. .L'hexafluoridu di sulfuru d'alta purezza di qualità elettronica hè un incisione elettronicu ideale, chì hè largamente utilizatu in u campu di a tecnulugia di microelettronica.Oghje, Niu Ruide editore di gas speciale Yueyue introduverà l'appiecazione di l'hexafluorure di sulphur in l'incisione di nitruru di siliciu è l'influenza di diversi parametri.
Discutemu di u prucessu di incisione SiNx di plasma SF6, cumprese cambià a putenza di plasma, u rapportu di gasu di SF6 / He è aghjunghjendu u gasu cationicu O2, discutendu a so influenza nantu à a tarifa di incisione di a capa di prutezzione di l'elementu SiNx di TFT, è utilizendu a radiazione di plasma. spettrometru analizà i cambiamenti di cuncentrazione di ogni spezia in SF6/He, SF6/He/O2 plasma è a rata di dissociazione SF6, è esplora a relazione trà u cambiamentu di a tarifa di incisione SiNx è a concentrazione di spezie di plasma.
I studii anu truvatu chì quandu a putenza di plasma hè aumentata, a tarifa di incisione aumenta;se u flussu di SF6 in u plasma hè aumentatu, a cuncentrazione di l'atomu F aumenta è hè correlata positivamente cù a rata di incisione.In più, dopu à aghjunghje u gasu cationicu O2 sottu à u flussu tutale fissu, avarà l'effettu di aumentà a rata di incisione, ma sottu à diverse proporzioni di flussu O2 / SF6, ci saranu diversi miccanismi di reazione, chì ponu esse divisi in trè parti. : (1) U rapportu di flussu O2 / SF6 hè assai chjuca, O2 pò aiutà à a dissociazione di SF6, è a tarifa di incisione in questu tempu hè più grande di quandu O2 ùn hè micca aghjuntu.(2) Quandu u rapportu di flussu O2 / SF6 hè più grande di 0,2 à l'intervallu vicinu à 1, à questu tempu, per via di a grande quantità di dissociazione di SF6 per furmà l'atomi F, a tarifa di incisione hè u più altu;ma à u listessu tempu, l'atomi O in u plasma sò ancu crescenu è hè faciule di furmà SiOx o SiNxO (yx) cù a superficia di film SiNx, è più l'atomi O aumentanu, u più difficiuli l'atomi F seranu per u reazione di incisione.Per quessa, a rata di incisione principia à rallentà quandu u rapportu O2 / SF6 hè vicinu à 1. (3) Quandu u rapportu O2 / SF6 hè più grande di 1, a rata di incisione diminuisce.A causa di u grande aumentu di l'O2, l'atomi F dissociati collide cù O2 è forma OF, chì riduce a cuncintrazione di l'atomi F, risultatu in una diminuzione di a rata di incisione.Pò esse vistu da questu chì quandu l'O2 hè aghjuntu, u rapportu di flussu di O2 / SF6 hè trà 0,2 è 0,8, è pò esse uttenutu u megliu incisione.
Tempu di Postu: Dec-06-2021
